半导体光电功能材料是一类能够实现光—电与电—光高效转换的关键材料，广泛应用于探测、通信、照明与能源等前沿领域，其发展正不断推动信息与能源技术的深刻变革。在东北师范大学惟真楼的集成光电子全国重点实验室内，中国科学院院士刘益春教授正带领团队围绕国家重大需求开展科研攻关。这位“吉林省最美科技工作者”，多年来始终坚守在半导体光电功能材料与器件研究一线，作为我国宽禁带半导体研究领域的先行者，他最大的心愿是：“让中国在光电材料领域实现从‘跟跑’到‘领跑’的跨越。”

科研之路往往始于坚实的学术积淀。1988年，刘益春在中国科学院长春光学精密机械与物理研究所获得硕士学位，1995年通过该所与意大利都灵理工联合培养获得博士学位。随后，他在吉林大学化学系及日本九州大学先端科学技术研究中心完成博士后研究，1999年入选中国科学院百人计划。早年的学习和科研经历拓宽了他的国际视野，也为其科研生涯奠定了坚实基础。多年来，他长期聚焦于宽禁带半导体光电功能材料与器件领域的研究。针对宽禁带氧化物半导体“载流子调控”这一关键科学问题，他实现了对离子、等离激元和电子—空穴的有效调控，提出了“反向掺杂”的思想，攻克了氧化锌中氮受主固溶度低、难以形成替位掺杂等核心难题，取得了多项开创性研究成果。

“作为科技工作者，应将科技成果深度融入国家现代化建设，服务地方经济社会发展。”三十余载耕耘不辍，刘益春带领团队坚持“求真、创新、笃行、务实”的科研理念，始终面向国家重大需求与世界科技前沿，持续在半导体光电材料与器件领域精耕细作、锐意创新。

在航天飞行器特种热控材料研发方面，刘益春团队依托扎实的基础研究成果，创新材料设计，突破工程化制备技术，成功解决了该领域的科学难题，相关成果不仅在航天领域，亦在民用抗静电热控涂层等应用场景展现出广阔前景。在信息技术前沿领域，他带领团队在高密度全息光存储研究中提出过渡金属氧化物/贵金属功能基元室温光谱烧孔新思路，设计并制备出大尺寸室温全息光盘，开辟了高密度光存储的新路径。在类脑忆阻器研究方面，他创新性地利用非晶氧化物同质/异质结界面调控氧离子的漂移和定向扩散过程，研制出“扩散型”忆阻器，成功实现类脑功能的仿生模拟，一系列具有重要影响力的原创成果，诠释着这位新时代科学家的使命与担当。

在科研攻关之外，刘益春同样重视创新人才培养与科研平台建设，致力于打造具有持续发展能力的学术高地。他创建了紫外光发射材料与技术教育部重点实验室，培养了一大批半导体光电功能材料与器件领域的青年人才，成为我国在该领域重要的科研基地。在此基础上，他持续推进学科体系建设与科研平台发展，东北师范大学材料科学与工程两次入选国家“双一流”建设学科，微纳光电材料科学与技术教育部创新引智基地、集成光电子全国重点实验室相继获批，逐渐汇聚起一支结构合理、富有理想的跨学科人才队伍。2023年，他所带领的团队成功入选“全国高校黄大年式教师团队”。

生于斯、长于斯，刘益春对白山松水怀有深厚感情。“吉林不仅是孕育创新的沃土，更是大有可为的热土。未来，我们团队将坚持‘育才、引才、扶才、用才’，发挥好领军人才传帮带的作用，以科技创新助力我省新质生产力发展，为吉林高质量发展、全面振兴取得新突破贡献新的更大力量。”刘益春说。